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Preços dos semicondutores de SiC caem 30% e indústria entra em alerta

Preço do carboneto de silício cai drasticamente e gera incerteza; guerra de preços e fusões prometem transformar o futuro do setor Relatórios recentes do setor indicam que, desde o início deste ano, o preço dos substratos de SiC de 6 polegadas vem caindo consistentemente, com uma queda de quase 30%. Em meados de 2024, fontes […]

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Espera-se que o setor de substratos de SiC passe por uma onda de fusões e aquisições, remodelando ainda mais o cenário / Reprodução

Preço do carboneto de silício cai drasticamente e gera incerteza; guerra de preços e fusões prometem transformar o futuro do setor


Relatórios recentes do setor indicam que, desde o início deste ano, o preço dos substratos de SiC de 6 polegadas vem caindo consistentemente, com uma queda de quase 30%. Em meados de 2024, fontes internas da indústria na China revelaram que o preço desses substratos caiu abaixo de US$ 500, aproximando-se do custo de produção dos fabricantes chineses. No quarto trimestre deste ano, os preços caíram ainda mais para US$ 450 ou até US$ 400, criando uma pressão financeira significativa para a maioria dos fabricantes.

Atualmente, há três preocupações principais em relação às mudanças nos preços do carboneto de silício na indústria:

  • Excesso de oferta: em 2024, a capacidade global de produção para crescimento de cristais de SiC e materiais de substrato verá um aumento significativo. Alguns insiders da indústria estão preocupados que isso possa levar a um excesso de oferta de curto prazo no mercado.
  • Demanda dos veículos elétricos: o crescimento dos veículos elétricos (VEs), a maior aplicação-alvo para materiais de SiC, mostrou sinais de desaceleração nos últimos dois anos. Isso levanta dúvidas sobre a sustentabilidade a longo prazo do mercado de VEs e se existem novos impulsionadores de crescimento para sustentar avanços contínuos em semicondutores de terceira geração.
  • Guerras de preços: desde o início deste ano, uma guerra de preços eclodiu no mercado de carboneto de silício, impactando diretamente os preços e tornando a transição corporativa e o crescimento fatores cruciais para o futuro.

Este artigo explorará essas preocupações, examinando as perspectivas de várias partes interessadas do setor e fornecendo insights para abordar as questões mencionadas.

Indústria de SiC enfrenta nova onda de fusões

Em relação à capacidade de produção, estatísticas do DRAMeXchange indicam que, em 2024, um total de 14 novas plantas de carboneto de silício de 8 polegadas serão construídas globalmente (12 em construção, 2 prestes a começar). No curto prazo, apenas a planta Mohawk Valley da Wolfspeed será capaz de fornecer wafers de SiC de 8 polegadas, com outros fabricantes previstos para começar a produção gradualmente a partir do próximo ano.

Na China, mais de 50 projetos de expansão relacionados a SiC foram iniciados em 2023, com um investimento total superior a 90 bilhões de RMB. Em 2024, espera-se que mais de 100 empresas entrem no setor de SiC, e mais de 50 projetos estejam fazendo progressos significativos.

Sustentabilidade da expansão e fusões

Apesar dos altos investimentos no setor de carboneto de silício, insiders expressaram preocupações sobre a sustentabilidade da expansão. Embora alguns fornecedores estejam se expandindo ativamente, a questão-chave é se eles podem continuar operando sob condições de preços mais baixos, visto que o excesso de oferta permanece incerto. Nesse ambiente, espera-se que o setor de substratos de SiC passe por uma onda de fusões e aquisições, o que pode remodelar o cenário da indústria.

Data centers de IA: um novo impulso para semicondutores

Embora o mercado de veículos elétricos (VEs) tenha mostrado sinais de fraqueza, muitos dos principais fabricantes de SiC e montadoras indicaram que os modelos de veículos elétricos movidos a SiC continuam a crescer, e o carboneto de silício de 8 polegadas pode apresentar novas oportunidades. Atualmente, os modelos de 800 V respondem por cerca de 8,7% do mercado de carros de passeio de nova energia da China, com as taxas de penetração de carboneto de silício de 800 V aumentando para 72%.

A crescente demanda por poder de computação em data centers de inteligência artificial (IA) é vista como um fator-chave para desbloquear o potencial dos semicondutores de terceira geração.

Guerras de preços e o futuro comercial do SiC

Sobre a competição de preços, insiders sugerem que, embora as guerras de preços pressionem as margens de lucro de alguns fabricantes, a longo prazo, isso pode forçar a indústria a buscar soluções mais eficientes e econômicas. Isso também poderia ajudar a tecnologia SiC a penetrar mais em setores como veículos elétricos, fotovoltaicos e indústrias.

No mercado chinês, o rápido declínio nos preços está diretamente relacionado ao crescimento de fabricantes locais que ganharam certificação de veículos elétricos e estão expandindo suas capacidades de produção. Especialistas da indústria preveem que, com o aumento gradual da capacidade de produção de SiC de 8 polegadas, o custo por dispositivo de SiC ou a densidade de corrente unitária diminuirá ainda mais, potencialmente marcando um ponto de virada para aplicações comerciais de SiC em larga escala.

Com informações de Agências de Notícias*

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