Nova estratégia da China com terras raras ameaça os EUA; saiba como a disputa por semicondutores pode mudar o cenário global
A China reforçou recentemente o controle estatal sobre os materiais de terras raras, essenciais para a produção de semicondutores, implementando uma nova regulamentação que entrou em vigor em 1º de outubro. Em resposta às restrições impostas pelo país asiático, a DARPA (Defense Advanced Research Projects Agency) do Departamento de Defesa dos EUA contratou a Raytheon para desenvolver semicondutores que não dependam dos materiais controlados pela China, conforme reportado pelo Tom’s Hardware.
Materiais semicondutores de banda larga, como o nitreto de gálio (GaN), são cruciais para a produção de chips de alta potência e amplificadores de radiofrequência. A China controla uma parcela significativa do suprimento global de gálio, o que representa um risco potencial para a segurança nacional americana, segundo o Tom’s Hardware. Para enfrentar esse desafio, a DARPA solicitou à Raytheon o desenvolvimento de semicondutores feitos de diamante sintético e nitreto de alumínio (AIN).
O GaN é atualmente o principal material usado para semicondutores de alta potência e frequência, possuindo uma banda proibida de 3,4 eV. No entanto, o diamante sintético pode superar suas capacidades, com uma banda proibida de aproximadamente 5,5 eV. Ainda assim, o diamante sintético é um material emergente, e existem muitos desafios para viabilizar sua produção em massa. O nitreto de alumínio oferece uma banda proibida ainda maior, cerca de 6,2 eV, mostrando-se uma alternativa promissora.
A Raytheon planeja desenvolver semicondutores de diamante e nitreto de alumínio para uso em sistemas de radar e comunicação, tanto nos sistemas atuais quanto nos de próxima geração. Esses semicondutores seriam utilizados em interruptores de radiofrequência, limitadores e amplificadores, projetados para integração em sistemas de armas de alta velocidade. Contudo, a empresa ainda enfrenta obstáculos para criar semicondutores que atendam a essas demandas específicas.
Conforme descrito no press release da Raytheon, a primeira fase do contrato envolve o desenvolvimento de filmes semicondutores de diamante e nitreto de alumínio, além de sua integração em dispositivos eletrônicos. Na segunda fase, o foco será otimizar e amadurecer essas tecnologias em wafers de maior diâmetro, visando aplicações voltadas para sensores.
Colin Whelan, presidente de Tecnologia Avançada da Raytheon, comentou que esse passo é significativo e promete “revolucionar a tecnologia de semicondutores” mais uma vez. Ele destacou a experiência da empresa no desenvolvimento de materiais como arsenieto de gálio e nitreto de gálio, usados em sistemas do Departamento de Defesa. Ao alavancar essa expertise e sua trajetória em microeletrônica avançada, a Raytheon está determinada a avançar na aplicação desses novos materiais para minimizar a dependência de recursos controlados pela China.
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