Pesquisadores chineses desenvolvem fonte de luz EUV inovadora com alta eficiência e baixo custo, abrindo caminho para fabricação de chips avançados sob sanções dos EUA
Novas abordagens no desenvolvimento da litografia ultravioleta extrema (EUV) estão sendo pioneiramente exploradas por cientistas chineses, abrindo caminho para a produção em massa de chips semicondutores avançados, à medida que pesquisadores correm para contornar as rígidas sanções impostas pelos Estados Unidos.
Um desses projetos, do Instituto de Tecnologia de Harbin, foi recentemente premiado com o primeiro lugar na Competição de Transformação de Realizações em Inovação da Província de Harbin, voltada para funcionários de universidades e institutos de pesquisa, em 30 de dezembro.
A equipe de pesquisa adotou uma abordagem tecnológica completamente diferente dos métodos ocidentais para gerar luz laser EUV.
De acordo com o site do instituto, o projeto “Fonte de luz de litografia de plasma de descarga ultravioleta extrema”, liderado pelo professor Zhao Yongpeng, da Escola de Engenharia Aeroespacial, “possui alta eficiência de conversão de energia, baixo custo, tamanho compacto e dificuldade técnica relativamente baixa”.
“Ele pode produzir luz ultravioleta extrema com comprimento de onda central de 13,5 nanômetros, atendendo à demanda urgente por fontes de luz EUV no mercado de fotolitografia”, afirmou o relatório oficial.
Na indústria de semicondutores, a máquina mais complexa e difícil de fabricar é a máquina de fotolitografia.
Com informações de South China Morning Post*